穩懋半導體股份有限公司
(一)公司簡介
1.沿革與背景
穩懋(3105.TW)成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。
2.營業項目與產品結構
公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業務,提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務,應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器(PA)與雷達系統上。
至2011年11月產品組合,HBT佔營收比重60%、pHEMT佔30%、BiHEMT佔比小於10%,其中BiHEMT主要應用於Wimax及4G產品。產品應用比重:手機應用(2G/2.5G/3G手機)佔60%、WiFi(11n產品)應用佔20%、利基型產品佔20%(光纖、衛星)。
全文網址: http://www.moneydj.com/kmdj/wiki/wikiviewer.aspx?keyid=50ba7e4a-3e83-413f-aa4f-81db757ece79#ixzz1uue3DeSK
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(一)公司簡介
1.沿革與背景
全新(2455)成立於1996年11月26日,是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為前三大製造商之一。
2.營業項目與產品結構
GaAs(砷化鎵)為III-V族二元化合物,相較於矽,GaAs電子移動速度高,應用於高頻元件時,雜訊較低、元件Size較小,並且在輻射較強、高溫(200℃)的環境下,不容易造成信號錯誤,適合用於通訊、衛星等應用。
其產品項目為:
A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片。
B.假晶高電子遷移率電晶體(pHEMT)磊晶片。
C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InP HBT)磊晶片
D.垂直整合HBT、PHEMT (BiHEMT)磊晶片
E.高聚光型太陽能電池(HCPV)磊晶片
公司產品以六吋為主,累計2011年前七月產品結構:HBT磊晶佔75%、pHEMT磊晶佔10%、BiHEMT磊晶約佔10-12%、太陽能產品佔3%。HBT主要應用於PA(功率放大器),pHEMT主要應用微波開關Switch。
全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/wiki/WikiViewer.aspx?KEYID=d13f5db8-ad41-432f-85ab-ef101b291f9f#ixzz1uuet17nb
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砷化鎵磊晶廠全新(2455)今年4月營收2.33億元,從3月的新高回落4%,仍居於歷史次高水準,受惠於大客戶穩懋(3105)持續看旺Q2營運,對全新的磊晶片拉貨動能強勁,5、6月營收可望再反轉向上。累計今年前4月,全新營收為9.25億元,較去年同期成長17%。
全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=c3114131-ad64-49d9-8ff5-11591990de1d#ixzz1uueTr6To
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